制造商型号: | SQ1912EH-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQ1912EH-T1_GE3
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SQ1912EH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1912EH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 200 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.15 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 17 ns
正向跨导(Min) 2.6 S, 2.6 S
上升时间 21 ns, 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 5330
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.772769 | 5.77 |
10 | 4.629534 | 46.30 |
100 | 3.15578 | 315.58 |
500 | 2.366609 | 1183.30 |
1000 | 1.775071 | 1775.07 |