制造商型号： | IXTL2X180N10T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTL2X180N10T
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IXTL2X180N10T 中文资料
数据手册PDF
IXTL2X180N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 7.4 mOhms
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 31 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 26.42 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 25 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥211.265183 总价：￥5281.63 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 25 | 211.265183 | 5281.63 |
品牌其他型号
IXTL2X180N10T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 射频晶体管
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