制造商型号： | IXFA10N60P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFA10N60P
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IXFA10N60P 中文资料
数据手册PDF
IXFA10N60P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 740 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 23 ns
外形参数
高度 4.5 mm
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 35
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 34.102625 | 34.10 |
| 10 | 30.581159 | 305.81 |
| 25 | 28.913095 | 722.83 |
| 100 | 23.130476 | 2313.05 |
| 250 | 21.84545 | 5461.36 |
| 500 | 20.560423 | 10280.21 |
| 1000 | 17.604863 | 17604.86 |
| 2500 | 17.347858 | 43369.64 |
| 5000 | 15.805825 | 79029.13 |
品牌其他型号
IXFA10N60P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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