制造商型号： | IXTP06N120P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP06N120P
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IXTP06N120P 中文资料
数据手册PDF
IXTP06N120P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 600 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 19
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 68.521251 | 68.52 |
| 10 | 57.554986 | 575.55 |
| 100 | 46.562914 | 4656.29 |
| 500 | 41.389417 | 20694.71 |
| 1000 | 35.439823 | 35439.82 |
| 2000 | 33.370281 | 66740.56 |
品牌其他型号
IXTP06N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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