制造商型号: | IXTP06N120P |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP06N120P
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IXTP06N120P 中文资料
数据手册PDF
IXTP06N120P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 600 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 19
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 59.759845 | 59.76 |
10 | 50.19577 | 501.96 |
100 | 40.60919 | 4060.92 |
500 | 36.097198 | 18048.60 |
1000 | 30.908342 | 30908.34 |
2000 | 29.10342 | 58206.84 |
品牌其他型号
IXTP06N120P品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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