制造商型号: | FPF2C8P2NL07A |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | IGBT MODULE 650V 30A 135W F2 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FPF2C8P2NL07A
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FPF2C8P2NL07A 中文资料
数据手册PDF
FPF2C8P2NL07A 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Modules
商标 onsemi / Fairchild
商标名 STEALTH
技术类参数
配置 3-Phase
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.13 V, 2.49 V
在25 C的连续集电极电流 30 A, 50 A
栅极—射极漏泄电流 2 uA, 2 uA
耗散功率 135 W, 174 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Modules
单位重量 45 g
品牌其他型号
FPF2C8P2NL07A品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管IGBT
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