制造商型号： | SI4202DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4202DY-T1-GE3
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SI4202DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4202DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12.1 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4202DY-GE3
单位重量 750 mg
库存： 2291
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.572756 | 16.57 |
| 10 | 13.594644 | 135.95 |
| 100 | 10.571674 | 1057.17 |
| 500 | 8.960753 | 4480.38 |
| 1000 | 7.29949 | 7299.49 |
品牌其他型号
SI4202DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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