制造商型号: | NTJD4158CT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTJD4158CT1G
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NTJD4158CT1G 中文资料
数据手册PDF
NTJD4158CT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 250 mA, 880 mA
漏源电阻 1.5 Ohms, 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 800 mV, 450 mV
栅极电荷 900 pC, 2.2 nC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 78 ns, 3.5 ns
正向跨导(Min) 0.08 S, 3 S
上升时间 66 ns, 6.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 5.8 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 131026
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.607723 | 1.61 |
10 | 1.20176 | 12.02 |
30 | 1.127308 | 33.82 |
100 | 1.05271 | 105.27 |
500 | 1.019588 | 509.79 |