制造商型号： | SI7216DN-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI7216DN-T1-E3
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SI7216DN-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7216DN-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 20.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 57 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7216DN-E3
单位重量 1 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 4.735477 | 14206.43 |
| 6000 | 4.509992 | 27059.95 |
| 9000 | 4.301824 | 38716.42 |
品牌其他型号
SI7216DN-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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