制造商型号： | NVTJD4001NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVTJD4001NT1G
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NVTJD4001NT1G 中文资料
数据手册PDF
NVTJD4001NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 272 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 82 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 608063
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.563667 | 5.56 |
| 10 | 4.22602 | 42.26 |
| 100 | 2.631496 | 263.15 |
| 500 | 1.800497 | 900.25 |
| 1000 | 1.384998 | 1385.00 |
