制造商型号： | NTLJD3115PT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTLJD3115PT1G
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NTLJD3115PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTLJD3115PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 106 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13.2 ns, 15 ns
上升时间 13.2 ns, 15 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 13.7 ns, 19.8 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns, 5.5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.800 mg
库存： 14320
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.523064 | 8.52 |
| 10 | 7.469519 | 74.70 |
| 100 | 5.725842 | 572.58 |
| 500 | 4.526221 | 2263.11 |
| 1000 | 3.621 | 3621.00 |
