制造商型号： | BSM300D12P2E001 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 1200V 300A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) BSM300D12P2E001
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BSM300D12P2E001 中文资料
数据手册PDF
BSM300D12P2E001 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 Power MOSFET Modules
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
栅极电压 - 6 V, 22 V
配置 Half-Bridge
下降时间 65 ns
漏极电流 300 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1875 W
上升时间 70 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型延迟时间 80 ns
典型关闭延迟时间 250 ns
典型接通延迟时间 80 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 1.6 V
外形参数
高度 17 mm
长度 122 mm
宽度 62 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power MOSFET
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 444.780 g
BSM300D12P2E001 引脚图与封装图
BSM300D12P2E001引脚图
BSM300D12P2E001封装图
BSM300D12P2E001封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4779.110675 | 4779.11 |
品牌其他型号
BSM300D12P2E001品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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