制造商型号： | NTND31015NZTAG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 0.2A XLLGA6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTND31015NZTAG
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NTND31015NZTAG 中文资料
数据手册PDF
NTND31015NZTAG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 800 mOhms, 800 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 166 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 80 ns, 80 ns
正向跨导（Min） 480 mS, 480 mS
上升时间 25.5 ns, 25.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 142 ns, 142 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns, 16.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
库存： 22067
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.119454 | 6.12 |
| 10 | 4.314215 | 43.14 |
| 100 | 2.173937 | 217.39 |
| 500 | 1.926099 | 963.05 |
| 1000 | 1.498809 | 1498.81 |
| 2000 | 1.341537 | 2683.07 |
