制造商型号： | NTZD3155CT2G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTZD3155CT2G
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NTZD3155CT2G 中文资料
数据手册PDF
NTZD3155CT2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA, 430 mA
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.5 nC, 1.7 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 19 ns
正向跨导（Min） 1 S
上升时间 4 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 10 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存： 66022
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.93757 | 4.94 |
| 10 | 3.493332 | 34.93 |
| 100 | 1.760245 | 176.02 |
| 500 | 1.56052 | 780.26 |
| 1000 | 1.214273 | 1214.27 |
| 2000 | 1.086883 | 2173.77 |
