制造商型号： | IRF7319TRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRF7319TRPBF
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IRF7319TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF7319TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7319TRPBF SP001563414
单位重量 540 mg
IRF7319TRPBF 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.394049 | 7.39 |
| 10 | 6.574822 | 65.75 |
| 30 | 6.154705 | 184.64 |
| 100 | 5.745092 | 574.51 |
| 500 | 5.503525 | 2751.76 |
品牌其他型号
IRF7319TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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