FDS8958A、FDS8958A_F085、IRF7319TRPBF对比区别

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型号 FDS8958A FDS8958A_F085 IRF7319TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 7.00 A - -

额定功率 1.6 W - 2 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.019 Ω 0.019 Ω 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1.9 V 1.9 V 1 V

输入电容 528 pF - -

栅电荷 9.60 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A/5A 6.5A/4.9A

上升时间 13.0 ns - -

输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 575pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.575 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -