制造商型号: | SSM6N16FE,L3F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SSM6N16FE,L3F价格库存等采购信息! |
Toshiba(东芝) SSM6N16FE,L3F
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SSM6N16FE,L3F 中文资料
数据手册PDF
SSM6N16FE,L3F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 40 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存: 7900
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.324608 | 4.32 |
10 | 3.26199 | 32.62 |
25 | 2.856713 | 71.42 |
100 | 1.549445 | 154.94 |
250 | 1.541538 | 385.38 |
500 | 1.264021 | 632.01 |
1000 | 0.937822 | 937.82 |
2500 | 0.823652 | 2059.13 |