制造商型号: | 2N7002WT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) 2N7002WT1G
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2N7002WT1G 中文资料
数据手册PDF
2N7002WT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55.8 ns
典型接通延迟时间 12.2 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.200 mg
库存: 27931
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.595853 | 2.60 |
10 | 1.767653 | 17.68 |
100 | 0.862813 | 86.28 |
500 | 0.719423 | 359.71 |
1000 | 0.499888 | 499.89 |
品牌其他型号
2N7002WT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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