制造商型号： | DMN32D2LDF-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN32D2LDF-7
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DMN32D2LDF-7 中文资料
数据手册PDF
DMN32D2LDF-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥4.616659 总价：￥4.62 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.616659 | 4.62 |
| 10 | 3.503927 | 35.04 |
| 100 | 2.181667 | 218.17 |
| 500 | 1.492957 | 746.48 |
| 1000 | 1.148484 | 1148.48 |
品牌其他型号
DMN32D2LDF-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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