DMN32D2LDF-7、UM5K1NTR对比区别
描述 通用源双N沟道增强型场效应晶体管特点•通用源双N沟道MOSFET•低导通电阻•非常低的栅极阈值电压，1.2V最大•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•小型表面贴装封装•ESD保护门•对无铅要求..30V,,0.1A双N沟道MOSFET
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5
封装 SOT-353 TSSOP-5
极性 N-CH Dual N-Channel
耗散功率 0.28 W 150 mW
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 0.4A 100 mA
输入电容(Ciss) 39pF @3V(Vds) 13pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 280 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 280 mW 150 mW
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 100 mA
漏源极电阻 - 7 Ω
漏源击穿电压 - 30.0 V
上升时间 - 35 ns
下降时间 - 80 ns
封装 SOT-353 TSSOP-5
长度 - 2 mm
宽度 - 1.25 mm
高度 - 0.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -