制造商型号: | BSD223PH6327XTSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSD223PH6327XTSA1
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BSD223PH6327XTSA1 中文资料
数据手册PDF
BSD223PH6327XTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 390 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 350 mS
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 5.1 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSD223P H6327 SP000924074
单位重量 300 mg
BSD223PH6327XTSA1 同类别型号
库存: 67853
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.358865 | 5.36 |
10 | 3.838444 | 38.38 |
100 | 1.937916 | 193.79 |
500 | 1.717829 | 858.91 |
1000 | 1.336726 | 1336.73 |
品牌其他型号
BSD223PH6327XTSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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