BSD223PH6327XTSA1

BSD223P 系列 20V 1.2 Ohm 双 P沟道. OptiMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-363

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

欧时:
Infineon BSD223PH6327XTSA1

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

立创商城:
P沟道 小信号晶体管

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSD223PH6327XTSA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 250 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with optimos-p technology.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R