制造商型号： | NTZD5110NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTZD5110NT1G
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NTZD5110NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTZD5110NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 294 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.3 ns
上升时间 7.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 63.7 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 0.612686 | 2450.74 |
| 8000 | 0.578609 | 4628.87 |
| 12000 | 0.527599 | 6331.19 |
| 28000 | 0.493522 | 13818.62 |
| 100000 | 0.435696 | 43569.60 |
