制造商型号： | DMN62D0UDW-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN62D0UDW-7
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DMN62D0UDW-7 中文资料
数据手册PDF
DMN62D0UDW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.5 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.563667 总价：￥5.56 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.563667 | 5.56 |
| 10 | 4.178669 | 41.79 |
| 100 | 2.365151 | 236.52 |
| 500 | 1.566113 | 783.06 |
| 1000 | 1.200688 | 1200.69 |
品牌其他型号
DMN62D0UDW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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