制造商型号： | NTMFD5C446NLT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | T6 40V LL S08FL DS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTMFD5C446NLT1G
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NTMFD5C446NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFD5C446NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 145 A
漏源电阻 2.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.2 ns
正向跨导（Min） 138 S
上升时间 16.8 ns
典型关闭延迟时间 34.9 ns
典型接通延迟时间 14.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥75.820715 总价：￥75.82 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 75.820715 | 75.82 |
| 10 | 64.983778 | 649.84 |
| 100 | 54.153149 | 5415.31 |
| 500 | 47.782189 | 23891.09 |
