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ON(安森美) NTMFD5C446NLT1G

ON(安森美) NTMFD5C446NLT1G
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

NTMFD5C446NLT1G

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

T6 40V LL S08FL DS

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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NTMFD5C446NLT1G 中文资料

NTMFD5C446NLT1G 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 145 A

漏源电阻 2.65 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 54 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 15.2 ns

正向跨导(Min) 138 S

上升时间 16.8 ns

典型关闭延迟时间 34.9 ns

典型接通延迟时间 14.8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 161.193 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1500 个

整装:

¥10
单价:¥43.003972 总价:¥64505.96

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1500 43.003972 64505.96
3000 40.296376 120889.13
品牌其他型号
NTMFD5C446NLT1G品牌厂家:ON ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购NTMFD5C446NLT1G、查询NTMFD5C446NLT1G代理商; NTMFD5C446NLT1G价格批发咨询客服;这里拥有 NTMFD5C446NLT1G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 NTMFD5C446NLT1G替代型号NTMFD5C446NLT1G数据手册PDF