制造商型号: | BSC0910NDIATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSC0910NDIATMA1
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BSC0910NDIATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC0910NDIATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 3.5 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.6 nC, 30.6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 4.1 ns
正向跨导(Min) 42 S, 85 S
上升时间 3.6 ns, 5.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns, 5.6 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0910NDI SP000998052
单位重量 101.820 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 7.888464 | 39442.32 |
品牌其他型号
BSC0910NDIATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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