制造商型号： | NVMFD6H840NLT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | T8 80V LL SO8FL DS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFD6H840NLT1G
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NVMFD6H840NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD6H840NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 74 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 90 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥15.517226 总价：￥23275.84 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1500 | 15.517226 | 23275.84 |
| 3000 | 14.741234 | 44223.70 |
| 7500 | 14.187097 | 106403.23 |
