制造商型号: | SIA915DJ-T4-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 30V SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIA915DJ-T4-GE3
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SIA915DJ-T4-GE3 中文资料
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SIA915DJ-T4-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIA915DJ-T4-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.7A (Ta), 4.5A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
87mOhm @ 2.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
275pF @ 15V
功率 - 最大值
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual