制造商型号: | SIZF916DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N-CH DUAL 30V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SIZF916DT-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SIZF916DT-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIZF916DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZF916DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 12.7 mOhms, 6.58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 14.6 nC, 62 nC
耗散功率 26.6 W, 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 20 ns
正向跨导(Min) 53 S, 91 S
上升时间 45 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
库存: 5250
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.275397 | 19.28 |
10 | 17.224297 | 172.24 |
25 | 16.34949 | 408.74 |
100 | 12.260882 | 1226.09 |
250 | 12.1435 | 3035.88 |
500 | 10.392157 | 5196.08 |
1000 | 8.465482 | 8465.48 |