制造商型号: | FDMD8900 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDMD8900
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FDMD8900 中文资料
数据手册PDF
FDMD8900 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench Power Clip
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 66 A, 42 A
漏源电阻 4 mOhms, 5.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 25 nC, 19 nC
耗散功率 27 W, 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 2.3 ns
正向跨导(Min) 86 S, 80 S
上升时间 2.3 ns, 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 22 ns
典型接通延迟时间 8.7 ns, 7.1 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 5 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 82.320 mg
品牌其他型号
FDMD8900品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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