制造商型号： | NVMFD5485NLWFT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFD5485NLWFT1G
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NVMFD5485NLWFT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD5485NLWFT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 38.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
NVMFD5485NLWFT1G 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.87525 | 9.88 |
| 200 | 3.82725 | 765.45 |
| 500 | 3.69225 | 1846.13 |
| 1000 | 3.62475 | 3624.75 |
