制造商型号： | FDMS3660S |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDMS3660S
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FDMS3660S 中文资料
数据手册PDF
FDMS3660S 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A, 30 A
漏源电阻 8 mOhms, 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 87 nC
耗散功率 2.2 W, 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
库存： 8393
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 25.170652 | 25.17 |
| 10 | 20.871704 | 208.72 |
| 100 | 16.61014 | 1661.01 |
| 500 | 14.054196 | 7027.10 |
| 1000 | 11.924908 | 11924.91 |
品牌其他型号
FDMS3660S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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