制造商型号: | SISF00DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SISF00DN-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SISF00DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SISF00DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISF00DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 69.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 130 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
库存: 6045
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |