制造商型号： | IRF7341GTRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N-CH 55V 5.1A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRF7341GTRPBF
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IRF7341GTRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF7341GTRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 65 mOhms, 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.5 ns, 12.5 ns
正向跨导（Min） 10.4 S, 10.4 S
上升时间 7.7 ns, 7.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns, 9.2 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7341GTRPBF SP001563394
单位重量 540 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 6.915355 | 27661.42 |
品牌其他型号
IRF7341GTRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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