IRF7341GTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7341GTRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.043 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1 V, 1 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 5.1A
上升时间 7.7 ns
输入电容Ciss 780pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 12.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
宽度 3.9 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7341GTRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7341GTRPBF | Infineon 英飞凌 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |