制造商型号： | NTMFD4901NFT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTMFD4901NFT1G
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NTMFD4901NFT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFD4901NFT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13.5 A, 23.4 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 19.1 nC, 42.7 nC
耗散功率 1.9 W, 2.07 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 7 ns
上升时间 15 ns, 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
库存： 1294
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
