制造商型号: | SQJ992EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ992EP-T1_GE3
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SQJ992EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ992EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 47 mOhms, 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 11 S, 11 S
上升时间 6 ns, 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 1745
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 14.827229 | 14.83 |
10 | 13.282726 | 132.83 |
25 | 12.613028 | 315.33 |
100 | 9.458536 | 945.85 |
250 | 9.367843 | 2341.96 |
500 | 8.016836 | 4008.42 |
1000 | 6.530528 | 6530.53 |