制造商型号: | SQJ202EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ202EP-T1_GE3
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SQJ202EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ202EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 5.2 mOhms, 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC, 54 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.6 ns, 5 ns
正向跨导(Min) 49 S, 91 S
上升时间 3.2 ns, 4.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 8.8 ns, 10.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 4836
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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SQJ202EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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