制造商型号: | FDPC1002S |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | INTEGRATED CIRCUIT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDPC1002S
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FDPC1002S 中文资料
数据手册PDF
FDPC1002S 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 19 nC, 60 nC
耗散功率 1.6 W, 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 4 ns
正向跨导(Min) 97 S, 231 S
上升时间 2 ns, 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 38 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 13 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 207.730 mg