制造商型号: | SQJ960EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 8A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJ960EP-T1_GE3
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SQJ960EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ960EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 30 mOhms, 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 16 S, 16 S
上升时间 8 ns, 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥11.981536 总价:¥35944.61 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 11.981536 | 35944.61 |
6000 | 11.612438 | 69674.63 |
品牌其他型号
SQJ960EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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