制造商型号: | SQJ244EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJ244EP-T1_GE3
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SQJ244EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ244EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 20 nC, 45 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 26 S, 73 S
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 19 ns, 26 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 2979
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |