制造商型号: | FDS8958B_G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FDS8958B_G
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FDS8958B_G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDS8958B_G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.4A, 4.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
540pF @ 15V, 760pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO