制造商型号： | NVMFD5C668NLT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | T6 60V S08FL DUAL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFD5C668NLT1G
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NVMFD5C668NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD5C668NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 68 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 21.3 nC
耗散功率 57.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥43.596156 总价：￥43.60 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 43.596156 | 43.60 |
| 10 | 39.117281 | 391.17 |
| 100 | 32.046488 | 3204.65 |
| 500 | 27.280594 | 13640.30 |
