制造商型号: | SI7923DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7923DN-T1-GE3
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SI7923DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7923DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7923DN-GE3
单位重量 1 g
库存: 199
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
36 | 1.983732 | 71.41 |
100 | 1.825033 | 182.50 |
300 | 1.745684 | 523.71 |
500 | 1.666336 | 833.17 |
1000 | 1.586986 | 1586.99 |
品牌其他型号
SI7923DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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