SI7923DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
上升时间 12 ns
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7923DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7923DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7923DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 6.4A | 搜索库存 |
替代型号SI7923DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7923DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK Dual P-Channel 30V 6.4A | 当前型号 | VISHAY SI7923DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 6.4A | 当前型号 |
| 型号： SI7923DN-T1-E3 品牌： 威世 封装： P-Channel 30V 6.4A | 类似代替 | 双P通道30 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 30-V D-S MOSFET | SI7923DN-T1-GE3和SI7923DN-T1-E3的区别 |