制造商型号: | SQJ910AEP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQJ910AEP-T1_GE3
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SQJ910AEP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ910AEP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 5.8 mOhms, 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 72 S, 72 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns, 27 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ910AEP-T1_GE3 同类别型号
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 5.936821 | 17810.46 |
6000 | 5.397112 | 32382.67 |
15000 | 5.148013 | 77220.19 |
品牌其他型号
SQJ910AEP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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