制造商型号: | SH8M14TB1 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) SH8M14TB1
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SH8M14TB1 中文资料
数据手册PDF
SH8M14TB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 7 A
漏源电阻 15 mOhms, 21.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 8.5 nC, 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 65 ns
上升时间 33 ns, 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns, 80 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 4.192332 | 10480.83 |
品牌其他型号
SH8M14TB1品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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