制造商型号： | FDD3510H |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDD3510H
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FDD3510H 中文资料
数据手册PDF
FDD3510H 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDD3510H
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
PowerTrench®
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel, Common Drain
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.3A, 2.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
80mOhm @ 4.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 40V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供应商器件封装
TO-252-4L
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.568213 总价：￥16420.53 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 6.568213 | 16420.53 |
品牌其他型号
FDD3510H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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