制造商型号： | STS8DN3LLH5 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ST(意法半导体) STS8DN3LLH5
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STS8DN3LLH5 中文资料
数据手册PDF
STS8DN3LLH5 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS8DN3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
724pF @ 25V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥22.611535 总价：￥22.61 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.611535 | 22.61 |
| 10 | 20.2886 | 202.89 |
| 100 | 16.307489 | 1630.75 |
| 500 | 13.398385 | 6699.19 |
| 1000 | 12.180326 | 12180.33 |
品牌其他型号
STS8DN3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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