制造商型号： | SQJ262EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ262EP-T1_GE3
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SQJ262EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ262EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A, 40 A
漏源电阻 29.5 mOhms, 12.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.5 nC, 14.5 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns , 23 ns
典型接通延迟时间 9 ns , 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 2860
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.220945 | 13.22 |
| 10 | 11.812358 | 118.12 |
| 25 | 11.209385 | 280.23 |
| 100 | 8.407038 | 840.70 |
| 250 | 8.326972 | 2081.74 |
| 500 | 7.125966 | 3562.98 |
| 1000 | 5.80486 | 5804.86 |
